| 发明名称 | 一种压焊块金属层加厚的芯片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种压焊块金属层加厚的芯片及其制造方法，属于半导体芯片制造技术领域。本发明所述芯片，包括硅衬底、硅衬底上的金属层、金属层上的钝化层以及压焊块，其中，压焊块的金属层厚度大于金属走线的金属层厚度。其制造方法包括根据芯片的功能，在硅衬底表面上进行金属层的溅射、光刻和刻蚀，完成芯片内的金属走线，同时形成压焊块的步骤；钝化层生长、光刻和刻蚀，将压焊块区域刻蚀出来的步骤；以及在钝化层表面上再次进行金属层的溅射、光刻和刻蚀的步骤，保留压焊块区域的金属。本发明在芯片制造时实现了单独加厚芯片内部压焊块的效果，满足了芯片封装厂采用铜线打线时对芯片内部压焊块金属层厚度的要求。 | ||
| 申请公布号 | CN102237327A | 申请公布日期 | 2011.11.09 |
| 申请号 | CN201010163647.8 | 申请日期 | 2010.05.05 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 马万里;赵文魁 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人 | 田明;任晓航 |
| 主权项 | 一种压焊块金属层加厚的芯片，包括硅衬底、硅衬底上的金属层、金属层上的钝化层以及压焊块，其特征在于：所述压焊块的金属层厚度大于金属走线的金属层厚度。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦 | ||