| 发明名称 | 一种源漏区、接触孔及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种源漏区，包括：第一区，至少部分厚度的所述第一区位于衬底内；第二区，所述第二区形成于所述第一区上，所述第二区的材料与所述第一区的材料不同。一种源漏区的形成方法，包括：在衬底中位于栅堆叠结构两侧形成沟槽；形成第一半导体层，至少部分所述第一半导体层填充所述沟槽；在所述第一半导体层上形成第二半导体层，所述第二半导体层的材料与所述第一半导体层的材料不同。还提供了一种接触孔及其形成方法。可增加接触孔与接触区的接触面积，减小接触电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN102237294A | 申请公布日期 | 2011.11.09 |
| 申请号 | CN201010156570.1 | 申请日期 | 2010.04.21 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人 | 张磊 |
| 主权项 | 一种源漏区，由半导体材料构成，所述源漏区位于栅堆叠结构两侧且嵌入衬底中，其特征在于，所述源漏区包括：第一区，至少部分厚度的所述第一区位于所述衬底内；第二区，所述第二区形成于所述第一区上，所述第二区的材料与所述第一区的材料不同。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||