发明名称 催化式气体传感器零点自调校方法
摘要 本发明提供的是一种催化式气体传感器零点自调校方法。采用化学共沉淀方法制备纳米半导体二氧化锡、五氧化二锑和氧化铈复合敏感材料,材料经陈化、离心固液分离、去离子洗涤、有机溶剂脱水、真空烘干、热处理后形成敏感材料,利用甘油将敏感材料调制成浆料。利用绕线技术,将直径为0.018mm绕成直径0.2mm的线圈,并悬空焊接到标准两脚管座上。将敏感浆料涂敷到线圈上,线圈通电加热使浆料烧制成有一定强度的小球,管座经过储能焊封上带有孔的管壳,制作出对液化石油气(天然液化气、氢气、有机气)满量程小于体积分数10×10-6v/V的气敏元件。将其与催化式气体传感器集成,利用催化式气体传感器检测最低限(体积分数50×10-6v/V)远高于此气敏元件的满量程特点,可以认为当气敏元件检测限低于满量程时,认为环境被测气体浓度接近零,这时通过催化式气体传感器调理电路的单片机调整传感器零点,从而实现催化式气体传感器零点自调校功能,本发明解决了催化式气体传感器长期使用零点漂移问题,实现了催化气体传感器自校准功能,延长了催化式气体传感器的标校周期,提高了传感器的使用寿命。
申请公布号 CN102235989A 申请公布日期 2011.11.09
申请号 CN201010162289.9 申请日期 2010.05.05
申请人 哈尔滨佳启科技开发有限公司 发明人 张洪泉;丁喜波;张强;修德斌;刘晓波;孙丽美
分类号 G01N27/16(2006.01)I 主分类号 G01N27/16(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 催化式气体传感器零点自调校方法,其主要特征是:a、采用化学共沉淀方法制备纳米半导体二氧化锡、五氧化二锑和氧化铈复合敏感材料,材料经陈化、离心固液分离、去离子洗涤、有机溶剂脱水、真空烘干、热处理后形成较低电阻率的敏感材料,当敏感材料形成直径1.0mm的球形体时,阻值为10±5欧姆左右。b、利用甘油、松油醇、乙二醇等有机粘结剂(或硝酸锡溶液)将敏感材料调制成浆料。c、利用绕线技术,将直径为0.018mm±0.02mm的铂丝绕成直径0.2mm±0.1mm的线圈,阻值10±5欧姆左右,并悬空焊接到标准两脚管座上。d、利用牙签等将敏感浆料涂敷到线圈上,线圈通电加热使浆料烧制成有一定强度的小球。e、管座经过储能焊封上带有孔的管壳,制作出满量程小于体积分数10×10‑6v/V的气敏元件。f、将所制气敏元件与催化式气体传感器集成,利用催化式气体传感器检测最低限50×10‑6v/V远高于此气敏元件的满量程特征,当气敏元件检测限低于满量程时,认为环境被测气体浓度接近零,这时通过催化式气体传感器调理电路的单片机调整传感器零点,从而实现催化式气体传感器零点自调校功能。
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