| 发明名称 | 具有金属栅极的半导体元件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种具有金属栅极的半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含有半导体基底、形成于该半导体基底上的栅极介电层、以及至少一形成于该栅极介电层上的第一导电型金属栅极。该第一导电型金属栅极还包含有填充金属性层，以及设置于该栅极介电层与该填充金属性层之间的U型金属性层，且该U型金属性层的最高部分低于该填充金属性层。 | ||
| 申请公布号 | CN102237399A | 申请公布日期 | 2011.11.09 |
| 申请号 | CN201010167912.X | 申请日期 | 2010.04.22 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 黄光耀;杨玉如;廖俊雄;周珮玉 |
| 分类号 | H01L29/49(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/49(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种具有金属栅极的半导体元件，包含有：半导体基底；栅极介电层，形成于该半导体基底上；以及至少一第一导电型金属栅极，形成于该栅极介电层上，且该第一导电型金属栅极包含有：填充金属性层；以及U型金属性层，设置于该栅极介电层与该填充金属性层之间，且该U型金属性层的最高部分低于该填充金属性层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||