有机发光器件金属引线图案和阳极图案同时形成的方法

摘要

一种有机发光器件金属引线图案和阳极图案同时形成的方法，包括如下步骤：清洗玻璃基板、用紫外光照射玻璃基板、光刻胶涂布、预烘、冷板、曝光、显影、蚀刻金属膜和透明导电氧化膜、蚀刻部份光刻胶、蚀刻金属膜、光刻胶灰化；由于有机发光器件金属引线图案和阳极图案用一道光刻步骤同时形成，所以简化了流程、提高了生产效率、降低了成本；由于金属膜和透明导电氧化膜蚀刻、部份光刻胶蚀刻、金属膜蚀刻、光刻胶灰化这几个步骤均采用干刻，所以去掉了高成本的反应酸液、剥膜液和去离子水，减少了污染同时降低了成本。

主权项

一种有机发光器件金属引线图案和阳极图案同时形成的方法，步骤如下：步骤1：先将待洗的玻璃基板用中性清洗剂、碱性清洗剂、毛刷或超声波的方式清洗其表面，直至去除掉玻璃基板表面的灰尘和油脂组成的污渍；步骤2：接着同时用加热和紫外光照射该去除掉污渍的玻璃基板，加热温度为80 110℃，时间0.5 3分钟，紫外光照射能量为10 50J/cm2；步骤3：随后把光刻胶涂布在该用紫外光照射过的玻璃基板表面上，直至在玻璃基板表面形成厚度一致且厚度为2.0 2.5mm的光刻胶层；步骤4：再把光刻胶涂布过的玻璃基板用温度为90 125℃烘箱预烘90 180秒；步骤5：再把预烘后的玻璃基板放置在冷板上，冷板温度21 22℃，放置时间为30 60秒；步骤6：把冷却后的玻璃基板经掩膜板后进行曝光，曝光能量为30 150mj/cm2，所述掩膜板金属引线图案与透明阳极图案的公共部分图案为半反射膜，透明阳极图案为全反射膜；步骤7：对曝光后的玻璃基板进行显影，显影后玻璃基板上无反射部分光刻胶厚度为0um，透明阳极图案光刻胶厚度为1.0 1.2um，而金属引线图案光刻胶厚度比金属引线图案与透明阳极图案的公共部分图案光刻胶厚度大1.0 1.2um；步骤8：对显影后的玻璃基板，使用等离子方式刻蚀其上的金属膜和透明导电氧化膜，具体方式是用直流偏压或交流射频设备，使玻璃基板腔体抽真空值达到0.1 13Pa时，通入预设的反应气体，通入反应气体与抽真空速度维持于8 26Pa之间，然后启动射频发生器，射频发生器功率为300 5000W，电极距离为10 60mm，处理时间为20 120秒；步骤9：对刻蚀了金属膜和透明导电氧化膜后的玻璃基板，再使用等离子方式刻蚀其上的部分光刻胶，具体方式是用直流偏压或交流射频设备，使玻璃基板腔体抽真空值达到0.1 13Pa时，通入预设的反应气体，通入该反应气体与抽真空速度维持于8 26Pa之间，然后启动射频发生器，蚀刻掉0.6 1.2um厚度的光刻胶，射频发生器功率为300 5000W，电极距离为10 60mm，处理时间为20 120秒；步骤10：对刻蚀了光刻胶后的玻璃基板，继续使用等离子方式把其上的金属膜全部刻蚀掉，具体方式是用直流偏压或交流射频设备；使玻璃基板腔体抽真空值达到0.1 13Pa时，通入预设的反应气体，通入气体与抽真空速度维持于8 26Pa之间，然后启动射频发生器把金属膜蚀刻掉，射频发生器功率为300 5000W，电极距离为10 60mm，处理时间为20 120秒；步骤11：对刻蚀掉全部金属膜的玻璃基板，继续使用等离子方式把其上的光刻胶全部刻蚀掉，具体方式是用直流偏压或交流射频设备，使玻璃基板腔体抽真空值达到0.1 13Pa时，通入预设的反应气体，通入气体与抽真空速度维持于8 26Pa之间，启动射频发生器把光刻胶全部蚀刻掉，射频发生器功率为300 5000W，电极距离为10 60mm，处理时间为20 120秒。