鳍式场效应晶体管的掺杂方法

摘要

本发明的实施例包括鳍式场效应晶体管(fin??field-effect??transistors，FinFET)的掺杂方法。在该方法中，形成一包含掺质的富掺质层(dopant-richlayer)在基板的半导体鳍板(semiconductor??fin)的顶表面及侧壁上。形成盖层以覆盖富掺质层。对基板进行回火以将掺质由富掺质层趋入半导体鳍板中。本发明的多种实施例可改善传统LDD工艺的缺点。例如，在不同实施例中形成富掺质层、形成盖层以及将杂质趋入LDD区以达所需厚度却不用顾虑阴影效应及PAI孪晶界缺陷的回火工艺。因此，可改善装置的电性。

主权项

一种掺杂鳍式场效应晶体管的方法，包括：提供一基板，该基板包括一半导体鳍板形成于该基板的一表面上，其中该半导体鳍板具有一顶表面及侧壁；沉积一包括掺质的富掺质层于该半导体鳍板的该顶表面及侧壁上；沉积一盖层在该富掺质层上；以及该基板回火以将该掺质由该富掺质层趋入该半导体鳍板中。