| 发明名称 | 半导体元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一半导体元件的制造方法，包括：选择性生长一材料于一基板的一上表面；选择性生长一保护层于该材料上；以及于一蚀刻气体中移除部分该保护层。本发明可完全移除颗粒，而留下应变材料以提高载子迁移率并提升元件效能与产率。 | ||
| 申请公布号 | CN102237312A | 申请公布日期 | 2011.11.09 |
| 申请号 | CN201010534184.1 | 申请日期 | 2010.11.02 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 郑有宏;陆志诚;游明华;李启弘;李资良 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;陈晨 |
| 主权项 | 一种半导体元件的制造方法，包括：选择性生长一材料于一基板的一上表面；选择性生长一保护层于该材料上；以及于一蚀刻气体中移除部分该保护层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||