| 发明名称 | 薄膜光电变换装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 包括：第1工序，以使相邻的薄膜光电变换单元之间电串联连接的方式，在透光性绝缘基板上，依次形成第1电极层、光电变换层、以及第2电极层，其中，该光电变换层是依次层叠了第1导电类型半导体层、第2导电类型半导体层和第3导电类型半导体层；第2工序，形成从所述第2电极层的表面到达所述第1电极层的分离槽，从而进行单元分离为多个薄膜光电变换单元；以及第3工序，在所述第2工序之后对所述光电变换层的所述分离槽的侧壁部进行氧化处理而使所述光电变换层的所述分离槽的侧壁部改性为绝缘层。 | ||
| 申请公布号 | CN102239571A | 申请公布日期 | 2011.11.09 |
| 申请号 | CN200980148258.3 | 申请日期 | 2009.11.20 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 时冈秀忠;山林弘也;折田泰 |
| 分类号 | H01L31/075(2006.01)I;H01L27/142(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/075(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 金春实 |
| 主权项 | 一种薄膜光电变换装置的制造方法，其特征在于，包括：第1工序，以使相邻的薄膜光电变换单元之间电串联连接的方式，在透光性绝缘基板上，依次形成第1电极层、光电变换层、以及第2电极层，其中，该光电变换层是依次层叠了第1导电类型半导体层、第2导电类型半导体层和第3导电类型半导体层；第2工序，形成从所述第2电极层的表面到达所述第1电极层的分离槽，从而进行单元分离为多个薄膜光电变换单元；以及第3工序，在所述第2工序之后对所述光电变换层的所述分离槽的侧壁部进行氧化处理而使所述光电变换层的所述分离槽的侧壁部改性为绝缘层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||