发明名称 一种用于生成材料薄膜的源装置
摘要 一种用于生成材料薄膜的源装置,其特征在于该源装置包括阳极外屏蔽筒、阳极内屏蔽筒、内阴极筒、外阴极筒和磁场发生装置;其中磁场发生装置为环状分布,置于内阴极筒外圆一侧;内阴极筒作为溅射靶,内阴极筒内部作为基片工件的处理空间。本实用新型将内阴极筒作为溅射靶,基片工件在内阴极筒内部进行溅射沉积,粒子在轴线处的密度最大;达到基片工件表面获得的沉积粒子和能量的连续性,提高薄膜的生长品质,并使薄膜的生长得到很好的控制。
申请公布号 CN202030820U 申请公布日期 2011.11.09
申请号 CN201120091422.6 申请日期 2011.03.31
申请人 王晴萱;王晓光 发明人 王晴萱;王晓光
分类号 C23C14/34(2006.01)I 主分类号 C23C14/34(2006.01)I
代理机构 沈阳东大专利代理有限公司 21109 代理人 李在川
主权项 一种用于生成材料薄膜的源装置,其特征在于该源装置包括阳极外屏蔽筒、阳极内屏蔽筒、内阴极筒、外阴极筒和磁场发生装置;其中磁场发生装置为环状分布,置于内阴极筒外圆一侧;内阴极筒作为溅射靶,内阴极筒内部作为基片工件的处理空间。
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