发明名称 |
一种用于生成材料薄膜的源装置 |
摘要 |
一种用于生成材料薄膜的源装置,其特征在于该源装置包括阳极外屏蔽筒、阳极内屏蔽筒、内阴极筒、外阴极筒和磁场发生装置;其中磁场发生装置为环状分布,置于内阴极筒外圆一侧;内阴极筒作为溅射靶,内阴极筒内部作为基片工件的处理空间。本实用新型将内阴极筒作为溅射靶,基片工件在内阴极筒内部进行溅射沉积,粒子在轴线处的密度最大;达到基片工件表面获得的沉积粒子和能量的连续性,提高薄膜的生长品质,并使薄膜的生长得到很好的控制。 |
申请公布号 |
CN202030820U |
申请公布日期 |
2011.11.09 |
申请号 |
CN201120091422.6 |
申请日期 |
2011.03.31 |
申请人 |
王晴萱;王晓光 |
发明人 |
王晴萱;王晓光 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳东大专利代理有限公司 21109 |
代理人 |
李在川 |
主权项 |
一种用于生成材料薄膜的源装置,其特征在于该源装置包括阳极外屏蔽筒、阳极内屏蔽筒、内阴极筒、外阴极筒和磁场发生装置;其中磁场发生装置为环状分布,置于内阴极筒外圆一侧;内阴极筒作为溅射靶,内阴极筒内部作为基片工件的处理空间。 |
地址 |
110168 辽宁省沈阳市浑南新区飞云路18号M座203室 |