| 发明名称 | 具有碲化镉本征层的光伏电池 | ||
| 摘要 | 光伏(PV)电池(10)包括第一导电层(12)、p型半导体层(14)和具有至少大约5μm的中等晶粒尺寸并且包括镉和碲的大致上本征的半导体层(16)。该PV电池进一步包括n型半导体层(18)和第二导电层(22)。该大致上本征半导体层设置在该p型半导体层和该n型半导体层之间。还提供光伏电池(10)，其包含包括织构化衬底的第一导电层(12)和具有至少大约5μm的中等晶粒尺寸并且包括镉和碲的大致上本征的半导体层(16)。 | ||
| 申请公布号 | CN102237419A | 申请公布日期 | 2011.11.09 |
| 申请号 | CN201110118328.X | 申请日期 | 2011.04.28 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | B·A·科雷瓦尔 |
| 分类号 | H01L31/0328(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/075(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0328(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 朱海煜;王忠忠 |
| 主权项 | 一种光伏电池(10)，其包括：第一导电层(12)；p型半导体层(14)；具有至少大约五(5)μm的中等晶粒尺寸并且包括镉和碲的大致上本征半导体层(16)；n型半导体层(18)；以及第二导电层(22)，其中所述大致上本征半导体层(16)设置在所述p型半导体层和所述n型半导体层之间。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||