| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在半导体衬底之上形成电介质夹层，其中湿法刻蚀速率(WER)在所述电介质夹层的上部比在所述电介质夹层的下部快；在所述电介质夹层中形成沟槽；执行清洗工艺以使每个沟槽的上部中的开口部分的宽度比沟槽下部的宽度宽；以及用金属层填充所述沟槽。 | ||
| 申请公布号 | CN102237302A | 申请公布日期 | 2011.11.09 |
| 申请号 | CN201110067414.2 | 申请日期 | 2011.03.21 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金相德 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;许伟群 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在半导体衬底之上形成具有上部和下部的电介质夹层，其中湿法刻蚀速率WER在所述电介质夹层的上部比在所述电介质夹层的下部快；在所述电介质夹层中形成具有上部和下部的沟槽；执行清洗工艺以使每个沟槽的上部中的开口部分的宽度比每个沟槽的下部的宽度宽；以及用金属层填充所述沟槽。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||