发明名称 |
用于均匀性控制的射频返回带的调控方法与设备 |
摘要 |
本发明的实施例一般关于一种用于使用等离子体处理基板的方法与设备。更特定而言,本发明的实施例提供一种等离子体处理腔室,其具有一耦接至多个RF返回带的电极,其中该多个RF返回带的阻抗经设定及/或调整以于处理期间调控等离子体分布。一实施例中,RF返回带的阻抗藉由改变该多个RF返回带的长度、藉由改变该多个RF返回带的宽度、藉由改变该多个RF返回带的间隔、藉由改变该多个RF返回带的位置、藉由增加该多个RF返回带的电容或藉由其组合而变化。 |
申请公布号 |
CN102239542A |
申请公布日期 |
2011.11.09 |
申请号 |
CN200980148849.0 |
申请日期 |
2009.11.30 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
艾伦·曹;丹尼尔·J·霍夫曼;励(汤姆)·田中;威廉·尼克松·小泰勒;王荣平;约翰·M·怀特 |
分类号 |
H01L21/205(2006.01)I;H05H1/36(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/205(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
徐金国;钟强 |
主权项 |
一种用于使用等离子体处理基板的方法,其包含以下步骤:提供界定处理容积的处理腔室,其中基板支撑件配置在该处理容积内,与射频(RF)功率源连接的气体分布板配置在该基板支撑件之上,且该基板支撑件的周边经由多个RF返回带与该RF功率源连接;使一个或多个处理气体通过该分布板流至该处理容积;以及施加射频功率至该气体分布板以从该处理容积内的一个或多个处理气体产生等离子体,其中一个或多个RF返回带的阻抗已经被变更以调整该气体分布板和该基板之间的局部等离子体分布。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |