| 发明名称 | 串联型光电装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种串联型光电装置及其制造方法，该串联型光电装置包括：第一电极，包括透明导电性氧化物层；第一单元电池，位于所述第一电极上，且包括依次层压的p型半导体层、纯半导体层和n型半导体层；第二单元电池，位于所述第一单元电池上，且包括依次层压的p型半导体层、纯半导体层和n型半导体层；第二电极，位于所述第二单元电池上；其中，所述第一单元电池的纯半导体层由氢化非晶硅或氢化非晶硅系物质构成，所述第二单元电池的纯半导体层由氢化微晶硅或氢化微晶硅系物质构成，相对于形成在所述第一电极表面上的凹凸的平均节距的均方根粗糙度为0.05～0.13。 | ||
| 申请公布号 | CN102237417A | 申请公布日期 | 2011.11.09 |
| 申请号 | CN201010614094.3 | 申请日期 | 2010.12.30 |
| 申请人 | 韩国铁钢株式会社 | 发明人 | 明承烨 |
| 分类号 | H01L31/0256(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/075(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0256(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人 | 葛强;邬玥 |
| 主权项 | 一种光电装置，其特征在于：所述光电装置包括：第一电极，包括透明导电性氧化物层；第一单元电池，位于所述第一电极上，且包括依次层压的p型半导体层、纯半导体层和n型半导体层；第二单元电池，位于所述第一单元电池上，且包括依次层压的p型半导体层、纯半导体层和n型半导体层；第二电极，位于所述第二单元电池上；其中所述第一单元电池的纯半导体层由氢化非晶硅或氢化非晶硅系物质构成，所述第二单元电池的纯半导体层由氢化微晶硅或氢化微晶硅系物质构成，相对于形成在所述第一电极表面上的凹凸的平均节距的均方根粗糙度为0.05～0.13。 | ||
| 地址 | 韩国庆尙南道 | ||