图像传感器及其制造方法

摘要

实施方案涉及图像传感器和制造图像传感器的方法。根据实施方案，图像传感器可包括：在半导体衬底上方的栅极；在半导体衬底上方的第一杂质区域；在半导体衬底上方的第二杂质区域，第二杂质区域比第一杂质区域浅；和在第一杂质区域中形成的并且以预定角度朝向栅极弯曲的第三杂质区域。根据实施方案，第三杂质区域可以是n-型杂质区域。根据实施方案，可增加光电二极管的面积，可提高由光电二极管产生的电子的传输效率。

主权项

一种图像传感器，包括：在半导体衬底上方的栅极；在所述半导体衬底上方的第一杂质区域；在所述半导体衬底上方的第二杂质区域，所述第二杂质区域比所述第一杂质区域浅并且形成在所述第一杂质区域的至少一部分上方；和在所述第一杂质区域中形成的并且以预定角度朝向所述栅极弯曲的第三杂质区域；其中所述第三杂质区域包括n‑型杂质区域，其中所述第一杂质区域包括n‑型杂质区域，所述第二杂质区域包括p‑型杂质区域，其中所述第三杂质区域比所述第一杂质区域深，其中所述第三杂质区域包括多个杂质区域。