| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：形成在基板中并具有不同掺杂浓度的第一阱和第二阱；分别形成在第一阱和第二阱中且具有不同深度的第一隔离层和第二隔离层；以及第三隔离层，其形成在第一阱和第二阱彼此接触的边界区域中，并且具有第一隔离层和第二隔离层的组合类型。 | ||
| 申请公布号 | CN102237358A | 申请公布日期 | 2011.11.09 |
| 申请号 | CN201010518461.X | 申请日期 | 2010.10.20 |
| 申请人 | 美格纳半导体有限公司 | 发明人 | 吴宝石 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;吕俊刚 |
| 主权项 | 一种半导体器件，该半导体器件包括：形成在基板中并具有不同掺杂浓度的第一阱和第二阱；分别形成在第一阱和第二阱中的第一隔离层和第二隔离层，其中，第一隔离层和第二隔离层为不同的类型；以及第三隔离层，其形成在第一阱和第二阱彼此接触的边界区域中，并且是通过第一隔离层类型和第二隔离层类型的组合而形成的。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道 | ||