| 发明名称 | 功率半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种功率半导体器件，具备：第一导电类型的第一半导体层；上述第一导电类型的第二半导体层和第二导电类型的第三半导体层，横向上周期性地设置在第一半导体层之上；上述第二导电类型的第四半导体层，设置在上述第三半导体层之上；上述第一导电类型的第五半导体层，选择性地设置在上述第四半导体层的表面；第一主电极，与上述第一半导体层连接；第二主电极，与上述第四半导体层和上述第五半导体层连接；第一绝缘膜，设置在从上述第五半导体层的表面直至上述第二半导体层的沟槽的侧壁；第二绝缘膜，设置在比上述第一绝缘膜靠近上述沟槽的底部侧，介电常数高于上述第一绝缘膜；控制电极，隔着上述第一绝缘膜和上述第二绝缘膜填充在上述沟槽中。 | ||
| 申请公布号 | CN102237409A | 申请公布日期 | 2011.11.09 |
| 申请号 | CN201110105565.2 | 申请日期 | 2011.03.18 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 斋藤涉;小野升太郎;薮崎宗久;谷内俊治;渡边美穗 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈萍 |
| 主权项 | 一种功率半导体器件，其特征在于，具备：第一导电类型的第一半导体层；上述第一导电类型的第二半导体层和第二导电类型的第三半导体层，横向上周期性地设置在上述第一半导体层之上；上述第二导电类型的第四半导体层，设置在上述第三半导体层之上；上述第一导电类型的第五半导体层，选择性地设置在上述第四半导体层的表面上；第一主电极，与上述第一半导体层连接；第二主电极，与上述第四半导体层和上述第五半导体层连接；第一绝缘膜，设置在从上述第五半导体层的表面直至上述第二半导体层的沟槽的侧壁上；第二绝缘膜，设置在比上述第一绝缘膜靠近上述沟槽的底部侧，介电常数高于上述第一绝缘膜；以及控制电极，隔着上述第一绝缘膜和上述第二绝缘膜填充在上述沟槽中。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||