发明名称 |
具有连续电荷储存介电堆栈的非挥发存储阵列 |
摘要 |
本发明揭露具有一非挥发存储单元阵列的集成电路,此集成电路具有一介电堆栈层于基板之上,及布植区域于该基板的该介电堆栈层之下。该介电堆栈层在一平面区域上是连续的,且包含此非挥发存储单元阵列储存非挥发数据于由该多条字符线与该多条位线所存取的该介电堆栈层位置上。 |
申请公布号 |
CN102237366A |
申请公布日期 |
2011.11.09 |
申请号 |
CN201010169880.7 |
申请日期 |
2010.04.29 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
吕函庭;徐子轩;赖昇志 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
一种集成电路装置,包括:一集成电路包括一非挥发存储单元阵列,该集成电路包含:一基板;多条字符线存取该非挥发存储单元阵列;多条位线存取该非挥发存储单元阵列;一介电堆栈层位于该基板之上,该非挥发存储单元阵列储存非挥发数据于由该多条字符线与该多条位线所存取的该介电堆栈层位置上,该介电堆栈层在一平面区域上是连续的,该平面区域包括由该多条字符线与该多条位线所存取的所述位置;以及布植区域于该基板的该介电堆栈层之下,该布植区域是介于所述介电堆栈层位置之间。 |
地址 |
中国台湾新竹市科学工业园区力行路16号 |