通过溅射技术在基板上形成铁电体膜的方法

摘要

本发明涉及一种用于形成铁电体膜的方法，铁电体膜，铁电体器件和液体排出装置。为了在A位掺杂至少5摩尔％的给体离子，在使得等离子体电位和浮动电位之差至多为35eV这样的屏蔽体(250)的高度的条件下，以及在至少400℃的基板温度的条件下，通过溅射在面向靶(T)的基板(B)上形成含有式(P)的钙钛矿型氧化物的铁电体膜(40)，所述屏蔽体(250)以非接触的状态环绕在所述基板侧的靶(T)的外周边，并且包括以一定间隔叠置的屏蔽层(250a，250a，...)：(Pb1-x+δMx)(ZryTi1-y)Oz  ...(P)，其中M表示选自Bi和镧系元素中的至少一种元素，0.05≤x≤0.4，并且0＜y≤0.7，标准组成是使得δ＝0和z＝3这样的标准组成。

主权项

一种通过溅射技术在基板上形成铁电体膜的方法，所述铁电体膜含有由下面显示的式P表示的钙钛矿型氧化物，其中将具有根据要形成的铁电体膜的膜组成的组成的靶和所述基板设置成相互隔开的形式，以相对于所述靶为非接触的状态设置环绕在所述基板一侧的所述靶的外周边的屏蔽体，所述屏蔽体配置有多个相对于叠置方向以一定间隔相互叠置的屏蔽层，并且在使得通过溅射技术成膜时的等离子体中的等离子体电位Vs和浮动电位Vf之间的差值Vs‑Vf至多等于35eV这样的屏蔽体高度的条件下，以及在使得所述基板的温度至少等于400℃这样的条件下，通过溅射技术在所述基板上形成所述铁电体膜，其中所述等离子体电位Vs、浮动电位Vf和它们之间的差值Vs‑Vf的单位均为V：(Pb1‑x+δMx)(ZryTi1‑y)Oz  ...P其中M表示选自Bi和镧系元素中的至少一种元素，x表示满足0.05≤x≤0.4的条件的数值，并且y表示满足0＜y≤0.7的条件的数值，标准组成是使得δ＝0和z＝3这样的标准组成，条件是在使得能够获得钙钛矿结构这样的范围内，δ值和z值分别可以偏离0和3的标准值。