| 发明名称 | 形成半导体结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种形成半导体结构的方法，包括：提供一基底；形成一缓冲/成核层于该基底上；形成一第III族氮化物层于该缓冲/成核层上；以及使该第III族氮化物层受到氮化。形成该第III族氮化物层的步骤包括金属有机气相化学沉积。本发明可使用湿蚀刻来图案化第三族氮化物层，并有效地减少于第III族氮化物层中的氮空缺，从而改善掺杂物的激活率，并增加这些层别中的载流子浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN101635255B | 申请公布日期 | 2011.11.09 |
| 申请号 | CN200910128705.0 | 申请日期 | 2009.03.13 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 余振华;余佳霖;陈鼎元;邱文智 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;陈晨 |
| 主权项 | 一种形成半导体结构的方法，该方法包括：提供一基底；形成一缓冲/成核层于该基底上，其中该缓冲/成核层包括一第III族氮化物材料；在形成该缓冲/成核层的步骤后，执行一第一氮化步骤于该缓冲/成核层上；形成一第一第III族氮化物层于该缓冲/成核层上，其中该第一第III族氮化物层与该缓冲/成核层接触且该第一第III族氮化物层为p型且该第一第III族氮化物层不执行氮化；形成一第二第III族氮化物层于该第一第III族氮化物层上，其中该第二第III族氮化物层为n型；以及在形成该第二第III族氮化物层的步骤后，执行一第二氮化步骤于该第二第III族氮化物层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||