NON-VOLATILE RESISTIVE SWITCHING MEMORY STRUCTURE

摘要

본 발명에 따라서 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자가 제공되는데, 바닥 전극 역할을 하는 p형 Si 기판과; 상기 Si 기판 위에 형성되어, 비휘발성 메모리 소자의 동작 전압을 제어하고 전류의 ON/OFF 비를 증대시키는 절연층과; 상기 절연층 상에 형성되는 저항성 스위칭 거동층과; 상기 저항성 스위칭 거동층 상에 형성되는 금속층을 포함하는 것을 특징으로 한다.