| 摘要 |
본 발명은 실질적으로 평평한 표면 및 이러한 표면에 대하여 직각으로 두께를 갖는 반도체 웨이퍼의 사용가능한 표면 구역을 증가시키는 방법이 제공된다. 이러한 방법은, 복수의 스트립으로 웨이퍼를 분할하기 위한 스트립 두께를 선택하는 단계, 상기의 실질적으로 평평한 표면에 대하여 소정의 각도로 웨이퍼를 스트립으로 커팅하기위한 처리방식을 선택하는 단계 및 이와 같이 선택된 처리방식을 이용하여 각각 스트립을 분리하여 웨이퍼를 스트립으로 커팅하는 단계를 포함하며, 결합된 스트립 두께와 커팅되어 제거된 웨이퍼의 폭은 웨이퍼의 두께보다 작다. |
