| 发明名称 | 半导体器件的多层金属布线及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的多层金属布线及其形成方法。该半导体器件的多层金属布线包括：下Cu布线；上Al布线，形成为与下Cu布线接触；和扩散阻挡层，夹置在下Cu布线和上Al布线之间。该扩散阻挡层由W基层形成。 | ||
| 申请公布号 | CN101211892B | 申请公布日期 | 2011.11.09 |
| 申请号 | CN200710108270.4 | 申请日期 | 2007.06.07 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金秀贤;金栢满;李荣镇;郑东河;金鼎泰 |
| 分类号 | H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/532(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 一种半导体器件的多层金属布线，包括：下Cu布线；上Al布线，形成于下Cu布线上方且电接触下Cu布线；和W基扩散阻挡层，形成于下Cu布线和上Al布线之间，其中W基扩散阻挡层包括WSix层和WSixNy层的叠层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||