一种去除金属绝缘层金属结构的侧壁聚合物的方法

摘要

本发明属于集成电路制造领域，公开了一种去除金属层的侧壁聚合物的方法，在干法刻蚀生成钽或氮化钽组成的金属层后，在干法刻蚀的反应腔体内，用CF4气体对金属层进行表面干法刻蚀处理。本发明能有效去除侧壁聚合物，从而提高集成电路器件的成品率和可靠性。

主权项

一种去除金属绝缘层金属结构的侧壁聚合物的方法，其特征在于，在干法刻蚀生成钽或氮化钽组成的第一金属层后，在干法刻蚀的反应腔体内，用CF4气体对第一金属层进行表面干法刻蚀处理，所述CF4气体的流速为80sccm～120sccm，所述表面干法刻蚀处理的时间为15～30秒；所述反应腔体内的能量为100～250瓦；所述反应腔体内的压力为7～10毫托。