发明名称 |
新型硅/铜铟硒太阳电池结构 |
摘要 |
本实用新型涉及太阳电池、器件物理等领域。目的是在于解决了多晶硅生产工艺复杂,能耗高以及铜铟硒薄膜太阳电池的稳定性差等问题。提高太阳电池的光电性能。结合多晶硅电池和铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se2简称CIGS)薄膜太阳能电池特点,通过多种薄膜工艺制备出多晶硅/铜铟硒新型太阳电池,其光电转换效率高于多晶硅电池和铜铟镓硒薄膜太阳电池。本实用新型新型太阳电池具有低成本,高的稳定性,长的使用寿命,以及较高光电转换效率,具有比较好的开发价值。 |
申请公布号 |
CN202034374U |
申请公布日期 |
2011.11.09 |
申请号 |
CN201120029030.7 |
申请日期 |
2011.01.28 |
申请人 |
南昌航空大学 |
发明人 |
王应民;李清华;王萌;李禾;程泽秀 |
分类号 |
H01L31/0336(2006.01)I;H01L31/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0336(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
新型硅/铜铟硒太阳电池结构其特征在于:该新型太阳电池分为上电池和下电池,上电池为铜铟硒电池,下电池为硅电池,上电池沉积于下电池表面。 |
地址 |
330063 江西省南昌市丰和南大道696号 |