发明名称 新型硅/铜铟硒太阳电池结构
摘要 本实用新型涉及太阳电池、器件物理等领域。目的是在于解决了多晶硅生产工艺复杂,能耗高以及铜铟硒薄膜太阳电池的稳定性差等问题。提高太阳电池的光电性能。结合多晶硅电池和铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se2简称CIGS)薄膜太阳能电池特点,通过多种薄膜工艺制备出多晶硅/铜铟硒新型太阳电池,其光电转换效率高于多晶硅电池和铜铟镓硒薄膜太阳电池。本实用新型新型太阳电池具有低成本,高的稳定性,长的使用寿命,以及较高光电转换效率,具有比较好的开发价值。
申请公布号 CN202034374U 申请公布日期 2011.11.09
申请号 CN201120029030.7 申请日期 2011.01.28
申请人 南昌航空大学 发明人 王应民;李清华;王萌;李禾;程泽秀
分类号 H01L31/0336(2006.01)I;H01L31/06(2006.01)I 主分类号 H01L31/0336(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 新型硅/铜铟硒太阳电池结构其特征在于:该新型太阳电池分为上电池和下电池,上电池为铜铟硒电池,下电池为硅电池,上电池沉积于下电池表面。
地址 330063 江西省南昌市丰和南大道696号