| 发明名称 | 场效应晶体管以及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种既能够使阈值电压上升又能够实现低导通电阻化的场效应晶体管以及其制造方法，本发明的场效应晶体管包括：未掺杂GaN层(103)；未掺杂AlGaN层(104)，被形成在未掺杂GaN层(103)上，且比未掺杂GaN层(103)的带隙能大；未掺杂GaN层(105)，被形成在未掺杂AlGaN层(104)上；未掺杂AlGaN层(106)，被形成在未掺杂GaN层(105)上，且比未掺杂GaN层(105)的带隙能大；p型GaN层(107)，被形成在未掺杂AlGaN层(106)的凹部内；栅电极(110)，被形成在p型GaN层上；源电极(108)以及漏电极(109)，被形成在栅电极(110)的两侧的区域；在未掺杂GaN层(103)以及未掺杂AlGaN层(104)的异质结界面形成有沟道。 | ||
| 申请公布号 | CN102239551A | 申请公布日期 | 2011.11.09 |
| 申请号 | CN200980148578.9 | 申请日期 | 2009.11.26 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 引田正洋;石田秀俊;上田哲三 |
| 分类号 | H01L21/338(2006.01)I;H01L21/337(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/808(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/338(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 徐殿军 |
| 主权项 | 一种场效应晶体管，该场效应晶体管为结型，包括：第一导电型的第一氮化物半导体层；第一导电型的第二氮化物半导体层，被形成在所述第一氮化物半导体层上，并且带隙能比所述第一氮化物半导体层的带隙能大；第一导电型的第三氮化物半导体层，被形成在所述第二氮化物半导体层上；第一导电型的第四氮化物半导体层，被形成在所述第三氮化物半导体层上，并且带隙能比所述第三氮化物半导体层的带隙能大；第二导电型的第五半导体层，被形成在所述第四氮化物半导体层中所设置的凹部内；栅电极，被形成在所述第五半导体层上；以及源电极以及漏电极，被形成在所述栅电极的两侧的区域；在所述第一氮化物半导体层以及所述第二氮化物半导体层的异质结界面形成有沟道。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||