| 发明名称 | 高频电镀用快恢复整流二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种具有高频率特性，既适合高电压、又适合高电流密度的30KHz/2～5KA/(200～400)V的高频电镀用快恢复整流二极管及其制造方法，采用N型(100)径向单晶硅片，电阻率ρn为5～9Ω-cm，直径为48～70mm，厚度为175～185μm的单晶硅片；硅片扩散，在1250℃下进行双面一次扩散；扩散片检测；磷硅、硼硅玻璃吸收，从1250℃缓慢降温到1050℃，速率为1℃/分，恒温吸收2～3小时；继续慢降温，直至炉温降到600℃后出炉，使少子寿命τp达到12～16μS；低温扩铂，将少子寿命τp控制在4～6μS；再用12Mev电子辐照，使基区少子寿命τp为0.9～1.1μs；在硅片两面蒸镀钛-镍-金、经台面喷砂造型，去砂、清洗、腐蚀、钝化保护、中间测试、装壳、封装，测试合格后，制成成品。 | ||
| 申请公布号 | CN101582456B | 申请公布日期 | 2011.11.09 |
| 申请号 | CN200910303958.7 | 申请日期 | 2009.07.02 |
| 申请人 | 锦州市双合电器有限公司 | 发明人 | 夏吉夫;郭永亮;潘福泉;潘峰 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I;H01L21/22(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 锦州辽西专利事务所 21225 | 代理人 | 李辉 |
| 主权项 | 一种高频电镀用快恢复整流二极管，是由管壳、芯片构成，所述的芯片包括基区N、扩磷区N+和扩硼区P+以及阴、阳极欧姆接触，其特征是：所述的芯片采用N型(100)径向低阻单晶硅片，所述的单晶硅片电阻率ρn为5～9Ω‑cm、直径为48～70㎜、厚度175～185μm，且管子厚度为7.5～8.5mm，扩磷区N+和扩硼区P+为双面一次扩散形成，阴、阳极欧姆接触为钛‑镍‑金或钛‑镍‑银。 | ||
| 地址 | 121000 辽宁省锦州市凌河区金屯村104号 | ||