发明名称 |
一种大孔电极及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种大孔电极及其制备方法,所述大孔电极是由大孔径的三维SiO2超薄膜基体和掺杂锑的二氧化锡薄膜构成,所述二氧化锡以纳米超薄膜的形式覆于三维SiO2超薄膜上,制备过程为为先用环氧树脂制备三维骨架结构,再将三维骨架结构在正硅酸四乙酯中浸泡,用马弗炉焙烧即可得到三维SiO2超薄膜,然后结合溶胶/凝胶传统方法,以SnCl2/SbCl3的乙二醇混合溶液为浸渍液,将三维SiO2超薄膜浸入,通过分步水解、高温煅烧等处理,生成掺杂锑的二氧化锡纳米(ATO)薄膜附着在基体表面。本发明制得的大孔电极导电性强、耐氧化、耐腐蚀,用料省成本较低,可直接作为电极材料和电催化材料使用,并且电极的尺寸和形状可以调节,适合工业用途的需要。 |
申请公布号 |
CN102234814A |
申请公布日期 |
2011.11.09 |
申请号 |
CN201010165862.1 |
申请日期 |
2010.05.06 |
申请人 |
宁波大学 |
发明人 |
张瑞丰;侯琳熙;叶剑;李文丽 |
分类号 |
C25B11/03(2006.01)I;C25B11/06(2006.01)I |
主分类号 |
C25B11/03(2006.01)I |
代理机构 |
宁波诚源专利事务所有限公司 33102 |
代理人 |
袁忠卫 |
主权项 |
一种大孔电极,其特征在于所述大孔电极是由大孔径的三维Si02超薄膜基体和掺杂锑的二氧化锡(ATO)薄膜构成,其中ATO的含量在50~85wt%范围,所述二氧化锡以纳米超薄膜的形式覆于三维Si02超薄膜表面,其中导电薄膜中锡与锑的原子比例为14∶1~9∶1,所述的大孔的孔径范围在100nm至2μm之间。 |
地址 |
315211 浙江省宁波市风华路818号宁波大学材料科学与化学工程学院 |