发明名称 一种多晶硅晶体生长炉加热装置
摘要 本实用新型是一种多晶硅晶体生长炉加热装置,其特征在于:它包括由顶部加热器和侧部加热器,所述的顶部加热器设在晶体生长炉坩埚的顶部,顶部加热器连接顶部加热器电极,所述的侧部加热器设在坩埚的四周,侧部加热器连接侧部加热器电极,所述的顶部加热电极和侧部加热电极分别与变压器和控制器相连接。它通过顶部加热器和四周侧加热器组成两个独立控制的双热场,根据硅溶体在坩埚内的长晶过程中,上中下区域所需不同的温度,两个独立的功率控制器分别调整加热器功率的输出大小,并通过长晶器温度的调节,形成晶体生长的温度梯度和热壁效应,其温度梯度的调整范围大,排杂效果好,方便优化热场,有利于晶体的生长质量。
申请公布号 CN202030861U 申请公布日期 2011.11.09
申请号 CN201120023124.3 申请日期 2011.01.25
申请人 管文礼 发明人 张帆;张元成;丁红波;管宇骎;葛江文;管文礼
分类号 C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 主分类号 C30B28/06(2006.01)I
代理机构 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人 刘喜莲
主权项 一种多晶硅晶体生长炉加热装置,其特征在于:它包括由顶部加热器和侧部加热器,所述的顶部加热器设在晶体生长炉坩埚的顶部,顶部加热器连接顶部加热器电极,所述的侧部加热器设在坩埚的四周,侧部加热器连接侧部加热器电极,所述的顶部加热电极和侧部加热电极分别与变压器和控制器相连接。
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