MEMORY CELLS, ELECTRONIC SYSTEMS, METHODS OF FORMING MEMORY CELLS, AND METHODS OF PROGRAMMING MEMORY CELLS

摘要

어느 실시예는 유전물질에 의하여 서로로부터 이격되는 수직 적층된 전하 트래핑 지역을 가지는 메모리 셀을 포함한다. 유전물질은 고 유전상수 유전물질을 포함할 수 있다. 하나 또는 그 이상의 전하 트래핑 지역은 금속 물질을 포함할 수 있다. 그러한 금속 물질은 나노도트들 같은 다수의 이산 격리 섬(island)으로 나타난다. 어느 실시예들은 터널 유전체 위에 형성되는 2개의 전하 트래핑 지역에 메모리 셀을 형성하는 방법을 포함하는데, 지역들은 서로 수직으로 치환되며, 다른 지역에 비해 깊은 트랩(trap)을 갖는 터널 유전체에 가까운 지역이다. 어느 실시예는 메모리 셀을 포함하는 전자 시스템을 포함한다. 어느 실시예는 수직 적층된 전하 트래핑 지역을 갖는 메모리 셀을 프로그램하는 방법을 포함한다.