发明名称 阴离子表面活性剂介孔二氧化硅纳米管的生产工艺
摘要 本发明以有机硅烷为氧化硅源,首次尝试采用阴离子表面活性剂作为模板剂,在酸的存在下制备介孔二氧化硅纳米管。本发明生产方法简单,原料易得,成本低,反应时间短,适于放大生产。本发明制备的介孔二氧化硅纳米管具有直径均匀,管的内壁和外壁光滑,管壁杂质少的特性。得到的介孔二氧化硅纳米管平均直径为50nm。本发明所生产的二氧化硅管因为具有大的比表面积和孔体积、可调的孔结构、可调的孔径、可以修饰的表面性质以及可以控制的相貌等等,因此在微观研究,纳米器件、药物负载、气体存储和催化领域有非常大的应用潜力。
申请公布号 CN102234115A 申请公布日期 2011.11.09
申请号 CN201010166285.8 申请日期 2010.05.05
申请人 张永昶 发明人 张永昶
分类号 C01B33/12(2006.01)I 主分类号 C01B33/12(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 本发明是一种阴离子表面活性剂介孔二氧化硅纳米管的生产工艺。本发明制备的介孔二氧化硅纳米管具有直径均匀,管的内壁和外壁光滑,管壁杂质少的特性,其介孔二氧化硅纳米管直径为40‑60nm。
地址 201700 上海市青浦区青浦镇城东新村24号楼105室