直通基底穿孔结构及其制造方法

摘要

一种直通基底穿孔结构及其制造方法，该制造方法包含：提供半导体基底；蚀刻第一通孔于半导体基底中；形成间隙壁于第一通孔的侧壁；经由第一通孔蚀刻半导体基底，以形成第二通孔；湿蚀刻第二通孔，以形成瓶状通孔；形成绝缘层，在瓶状通孔底部的内壁；沉积第一导电层于瓶状通孔中，其中第一导电层定义瓶状通孔底部的腔体；形成连接垫于半导体基底的正侧，其中连接垫与第一导电层电连接；研磨半导体基底的背侧以暴露出腔体；以及填入第二导电层于腔体中。

主权项

一种直通基底穿孔结构的制造方法，其特征在于，包含：提供基底，该基底具有正侧及背侧，在该正侧上设有层间介电层；在该层间介电层及该基底中，蚀刻第一通孔；在该第一通孔的侧壁，形成间隙壁；经由该第一通孔蚀刻该基底，以形成第二通孔；拓宽该第二通孔，以形成瓶状通孔；在该瓶状通孔底部的内壁，形成绝缘层；沉积第一导电层于该瓶状通孔中，其中该第一导电层定义该瓶状通孔底部的腔体；形成连接垫于该基底的正侧，其中该连接垫与该第一导电层电性连接；研磨该基底的背侧以暴露出该腔体；以及由该基底的该背侧填入第二导电层于该腔体中。