直拉硅单晶炉装置及硅单晶拉制方法

摘要

本发明提供了一种提高单晶硅纯度的直拉单晶硅炉装置以及单晶硅拉制方法，该单晶炉装置的特征在于，在炉腔(16)中硅熔体(14)的上方设置一个两端开口长筒形的罩体(5)，所述罩体(5)的上端设置于炉腔的上部，开口正对着副室，或设置于副室(1)内，罩体(5)与硅熔体(14)液面接近的一端与硅熔体(14)液面具有一间距。在单晶硅拉制过程中，将惰性气体从副室(1)流向罩体(5)，再沿着罩体(5)从其下端流出，最终经排气口(12)排出。利用带有罩体的单晶炉装置以及拉制方法所得的单晶硅的纯度比现有技术的方法所得单晶的纯度提高了10倍以上，并且单晶硅棒各部分的纯度偏差也较小。

主权项

一种直拉硅单晶炉装置，其包括副室(1)、炉腔(16)、热屏支撑板(6)、热屏(7)、保温层(15)、石英坩埚(10)、石墨坩埚(11)、加热器(13)，其特征在于，在炉腔(16)中硅熔体(14)的上方设置一个两端开口的罩体(5)，所述罩体(5)沿着单晶硅生长的方向、且罩体(5)的开口正对着单晶硅的方向设置，罩体(5)与硅熔体(14)液面接近的一端与硅熔体(14)液面具有一间距。