形成具有介电覆盖层的半导体装置的方法

摘要

本发明涉及一种形成具有介电覆盖层的半导体装置的方法。在半导体装置中形成超接触组件，其中可使用精密替换栅极方法。为了达到这个目的，在图案化所述层间介电材料之前，提供介电覆盖层，因而在沉积接触材料之前，可靠地接合任何先前产生的裂缝，而进行任何过多部分的移除并不会与栅极电极结构的电极金属过度交互作用。因此，可实现显著减少缺陷率。

主权项

一种形成具有介电覆盖层的半导体装置的方法，包括以下步骤：在半导体区域上方形成的晶体管的栅极电极结构上方，形成介电覆盖层，所述栅极电极结构是侧向包埋在层间介电材料中，并且包含高k介电材料与电极金属；形成从所述栅极电极结构侧向偏离的接触开口，延伸穿过所述介电覆盖层与所述层间介电材料；在所述接触开口中，形成接触材料；移除所述接触材料的过多部分，用来暴露所述介电覆盖层；以及进行移除工艺，用来暴露所述栅极电极结构的所述电极金属。