| 发明名称 | 射频LDMOS器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种射频LDMOS器件的制造方法，将多晶硅栅极两侧的氧化硅侧墙由现有的化学成膜工艺改为热氧化生长工艺，这便缩小了多晶硅栅极和法拉第环之间的间距，使得法拉第环可以更大程度地降低射频LDMOS器件的密勒电容，最终达到提高器件增益的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN102237276A | 申请公布日期 | 2011.11.09 |
| 申请号 | CN201010154891.8 | 申请日期 | 2010.04.22 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 张帅;王海军;王雷 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 陈平 |
| 主权项 | 一种射频LDMOS器件的制造方法，其特征是，包括如下步骤：第1步，在硅衬底(10)上先生长一层栅氧化层(11)，再淀积一层多晶硅和氮化硅，刻蚀所淀积的氮化硅和多晶硅，形成多晶硅栅极(12)及其上方的氮化硅(13)；第2步，在多晶硅栅极(12)的两侧热生长一层氧化硅侧墙(14)；第3步，在氧化硅侧墙(14)的两侧对硅衬底(10)进行重掺杂离子注入，在硅衬底(10)中形成源区(151)和漏区(152)；第4步，以湿法腐蚀工艺去除多晶硅栅极(12)上方的氮化硅(13)；第5步，在硅片表面淀积一层金属，接着进行高温退火处理，从而在多晶硅栅极(12)上方形成多晶硅化物(16)；第6步，在硅片表面淀积一层氧化硅，采用光刻和刻蚀工艺对所淀积的氧化硅进行刻蚀，形成法拉第环阻挡层(17)；再在硅片表面淀积一层金属，采用光刻和刻蚀工艺对所淀积的金属进行刻蚀，形成法拉第环(18)。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||