P沟道大功率半导体恒电流二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种P沟道大功率半导体恒电流二极管及其制作方法，利用结型场效应管JFET作为小电流恒流源，向担任电流扩展的双极型晶体管提供恒定基极电流，经过双极型晶体管成比例(线性)放大(扩展)成为大恒定电流。本发明的特点是通过半导体器件结构的物理过程实现恒流特性，不是集成电路和电子模块(组件)的技术。本发明具有利用半导体物理特性、实现恒流电路的功能，而且结构简单，采用电流扩展方法可以直接恒流驱动负载的优点，表现于现有二极管的一些技术特征，也可以作为恒电流电源直接驱动负载。

主权项

一种P沟道大功率半导体恒电流二极管制作方法，其特征在于：在N型半导体衬底(2)上扩散出一个P型半导体区域(4)和另一个P型半导体区域(3)，P型半导体区域(4)和所述另一个P型半导体区域(3)通过金属电极(7)连接；在P型半导体区域(4)上扩散出N+型半导体区(6)形成P型沟道结型场效应管JFET的栅极，将P型半导体区域(4)作为P型沟道结型场效应管JFET；将N型半导体衬底(2)、P型半导体区域(4)和N+型半导体区(6)通过金属电极(8)连接，形成小电流恒流源；在所述另一个P型半导体区域(3)上扩散出N+型半导体(5)，N+型半导体(5)连接金属电极作为负极；N型半导体衬底(2)下面连接金属电极(1)作为正极。