发明名称 |
发光二极管封装结构及其制造方法 |
摘要 |
一种发光二极管封装结构,包括:一绝缘基板,具有第一表面以及相对于第一表面之第二表面,一凹槽,位于该绝缘基板之第一表面,二电极层由该凹槽底部两端延伸至绝缘基板之第二表面,一发光二极管芯片位于该凹槽并且与该二电极电性连接,该凹槽底部设有与二电极层电性连接并与发光二极管芯片并联的齐纳二极管。本发明发光二极管封装结构将齐纳二极管设置在绝缘基板内,与发光二极管封装构造一体化,可减少物料与人力成本。同时,内置的齐纳二极管由于不需要外部打线与电极层形成电性连接,不仅提高齐纳二极管与电极层的电性连接的稳定性,还可降低发光二极管的封装结构的复杂度。本发明还提供一种发光二极管封装结构的制造方法。 |
申请公布号 |
CN102237353A |
申请公布日期 |
2011.11.09 |
申请号 |
CN201010162562.8 |
申请日期 |
2010.05.05 |
申请人 |
展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
发明人 |
沈佳辉;洪梓健 |
分类号 |
H01L25/16(2006.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/16(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种发光二极管封装结构,包括:一绝缘基板,具有第一表面以及相对于第一表面之第二表面;一凹槽,位于该绝缘基板之第一表面;二电极层由该凹槽底部两端延伸至绝缘基板之第二表面;及一发光二极管芯片位于该凹槽内并且与该二电极电性连接,其特征在于:该凹槽底部设有与二电极层电性连接并与发光二极管芯片并联的齐纳二极管。 |
地址 |
518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号 |