发明名称 |
一种低功耗高抗干扰性的射频开关 |
摘要 |
本发明公开了一种低功耗高抗干扰性的射频开关,属于CMOS超大规模集成电路技术领域。本发明的射频开关为串联和并联两种,串联射频开关的连接关系为:阻变器件R与电感为串联;阻变器件R与电感的连接端与信号输出端口连接;电感另一端与地线连接;阻变器件R另一端与输入信号端连接;阻变器件R控制器与阻变器件R的一端口连接。并联射频开关的连接关系为:阻变器件R与电感并联;阻变器件R与电感的一连接端分别与输出信号端口连接、经电容与输入信号端口连接;阻变器件R与电感的另一连接端与地线连接;阻变器件R控制器与阻变器件R的一端口连接。本发明具有结构简单、功耗低、成本低、开关速度快、高抗干扰性等特点。 |
申请公布号 |
CN101789778B |
申请公布日期 |
2011.11.09 |
申请号 |
CN200910243256.4 |
申请日期 |
2009.12.29 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
张丽杰;黄如;石淙寅 |
分类号 |
H03K17/94(2006.01)I |
主分类号 |
H03K17/94(2006.01)I |
代理机构 |
北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 |
代理人 |
余功勋 |
主权项 |
一种低功耗高抗干扰性的射频开关,其特征在于包括阻变器件R,阻变器件R控制器,电感;所述阻变器件R与所述电感为串联;所述阻变器件R与所述电感的连接端与信号输出端口连接;所述电感另一端与地线连接;所述阻变器件R另一端与输入信号端连接;所述阻变器件R控制器与所述阻变器件R的所述另一端连接;所述阻变器件R为阻变存储器件或相变存储器件。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学 |