发明名称 |
集成电路晶圆切割方法 |
摘要 |
本发明提供一种集成电路晶圆切割方法,包含以下步骤:于晶圆基板形成复数个集成电路;于集成电路上方形成图案化保护层;以及使用图案化保护层做为遮罩,蚀刻穿晶圆基板,以形成复数个集成电路晶粒。其中,图案化保护层较佳是光阻。图案化保护层的形成步骤包含:形成光阻层以覆盖晶圆基板;使用光罩,对光阻层进行曝光;以及对光阻层进行显影,以形成图案化保护层。蚀刻步骤包含使用干式或湿式蚀刻工艺。 |
申请公布号 |
CN102237307A |
申请公布日期 |
2011.11.09 |
申请号 |
CN201010167230.9 |
申请日期 |
2010.04.27 |
申请人 |
瑞鼎科技股份有限公司 |
发明人 |
黃耀生 |
分类号 |
H01L21/78(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/78(2006.01)I |
代理机构 |
中国商标专利事务所有限公司 11234 |
代理人 |
万学堂;周伟明 |
主权项 |
一种集成电路晶圆切割方法,包含以下步骤:于一晶圆基板形成复数个集成电路;于该些集成电路上方形成一图案化保护层;以及使用该图案化保护层做为遮罩,蚀刻穿该晶圆基板,以形成复数个集成电路晶粒。 |
地址 |
中国台湾新竹市科学工业园区力行路23号2楼 |