| 发明名称 | 通孔刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种通孔刻蚀方法，该方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底上依次形成有金属互连线、阻挡层以及介质层；在所述介质层上形成具有通孔图形的光阻层；以所述具有通孔图形的光阻层为掩膜，刻蚀部分所述介质层以形成开口；利用氧气等离子灰化工艺去除所述具有通孔图形的光阻层；继续刻蚀所述开口内的剩余的介质层和所述阻挡层，直至暴露出所述金属互连线，以形成通孔。本发明在以具有通孔图形的光阻层为掩膜进行刻蚀时，仅刻蚀掉部分介质层而保留一部分的介质层以及全部阻挡层，以阻挡铜与氧气接触发生氧化反应，防止在金属互连线表面形成针孔，提高了半导体器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102237296A | 申请公布日期 | 2011.11.09 |
| 申请号 | CN201010164263.8 | 申请日期 | 2010.04.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;武汉新芯集成电路制造有限公司 | 发明人 | 池玟霆;刘选军;喻涛;祝长春 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种通孔刻蚀方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上依次形成有金属互连线、阻挡层以及介质层；在所述介质层上形成具有通孔图形的光阻层；以所述具有通孔图形的光阻层为掩膜，刻蚀部分所述介质层以形成开口；利用氧气等离子灰化工艺去除所述具有通孔图形的光阻层；继续刻蚀所述开口内的剩余的介质层和所述阻挡层，直至暴露出所述金属互连线，以形成通孔。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||