化学机械研磨的方法

摘要

本发明提供了一种化学机械研磨的方法，包括：提供研磨基台和晶片；使第1研磨垫利用第1研磨参数对第N+4片晶片进行第1步研磨，同时使第2研磨垫利用第1研磨参数对第N+3片晶片进行第1步研磨，同时使第3研磨垫利用第2研磨参数对第N+2片晶片进行第2步研磨；使第1研磨垫利用第1研磨参数对第N+5片晶片进行第1步研磨，同时使第2研磨垫利用第2研磨参数对N+4片晶片进行第2步研磨，同时使第3研磨垫利用第2研磨参数对N+3片晶片进行第2步研磨，其中N为自然数。本发明提高了化学机械研磨基台的生产效率。

主权项

一种化学机械研磨的方法，包括：提供研磨基台和晶片，所述研磨基台包括研磨盘，位于研磨盘上，且以研磨盘的中心为圆心的圆周上依次均匀排列的第1研磨垫、第2研磨垫、第3研磨垫和晶片抓取台；所述晶片包括M片，且排列后的所述晶片按照排列顺序依次编排为第1片、第2片......第M片；其特征在于，还包括步骤：使第1研磨垫利用第1研磨参数对第N+4片晶片进行第1步研磨，同时使第2研磨垫利用第1研磨参数对第N+3片晶片进行第1步研磨，同时使第3研磨垫利用第2研磨参数对第N+2片晶片进行第2步研磨；使第1研磨垫利用第1研磨参数对第N+5片晶片进行第1步研磨，同时使第2研磨垫利用第2研磨参数对N+4片晶片进行第2步研磨，同时使第3研磨垫利用第2研磨参数对N+3片晶片进行第2步研磨，其中M和N为自然数，且N＜M。