发明名称 发光二极管及其制造方法
摘要 一种发光二极管,包括一发光二极管芯片,该发光二极管芯片包括第一半导体层、第一电极、活性层、第二半导体层及第二电极,该活性层设于该第一半导体层上,该第二半导体层形成于该活性层上,该第二电极设于该第二半导体层上,由该第一半导体层、活性层、第二半导体层及第二电极构成一叠层,其中该叠层的中部设有盲孔,该盲孔依次贯穿第二电极、第二半导体层及活性层,并延伸至该第一半导体层内,该第一电极设于第一半导体层上并对应设于该盲孔内,该第一电极上设有一第一支撑层,该第二电极上设有一第二支撑层,该第二支撑层与第一支撑层相间隔。本发明还涉及一种制造该发光二极管的方法。
申请公布号 CN102237473A 申请公布日期 2011.11.09
申请号 CN201010165942.7 申请日期 2010.05.07
申请人 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 发明人 洪梓健;沈佳辉
分类号 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I 主分类号 H01L33/48(2010.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种发光二极管,包括一发光二极管芯片,该发光二极管芯片包括第一半导体层、第一电极、活性层、第二半导体层及第二电极,该活性层设于该第一半导体层上,该第二半导体层形成于该活性层上,该第二电极设于该第二半导体层上,由该第一半导体层、活性层、第二半导体层及第二电极构成一叠层,其特征在于:该叠层的中部设有盲孔,该盲孔依次贯穿第二电极、第二半导体层及活性层,并延伸至该第一半导体层内,该第一电极设于第一半导体层上并对应设于该盲孔内,该第一电极上设有一第一支撑层,该第二电极上设有一第二支撑层,该第二支撑层与第一支撑层相间隔。
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