| 发明名称 | 包含绝缘体上硅结构体中的场效应晶体管的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种包含绝缘体上硅结构体中的场效应晶体管的半导体器件，所述半导体器件包含绝缘体上半导体SeOI结构体，所述结构体含有基片、所述基片上的氧化物层和所述氧化物层上的半导体层；所述半导体器件还包含场效应晶体管FET，其中所述FET包含所述基片中的通道区；作为所述SeOI结构体的所述氧化物层的至少一部分的电介质；和至少部分地作为所述SeOI结构体的半导体层的第一部分的栅。 | ||
| 申请公布号 | CN102237371A | 申请公布日期 | 2011.11.09 |
| 申请号 | CN201110099463.4 | 申请日期 | 2011.04.20 |
| 申请人 | 硅绝缘体技术有限公司 | 发明人 | 卡洛斯·马祖拉;理查德·费朗;比什-因·阮 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 丁香兰;庞东成 |
| 主权项 | 一种半导体器件，所述半导体器件包含绝缘体上半导体SeOI结构体、特别是绝缘体上硅SOI结构体，所述结构体含有基片、所述基片上的氧化物层和所述氧化物层上的半导体层、特别是单晶硅层；以及场效应晶体管FET，其中所述FET包含所述基片中的通道区；电介质，所述电介质是所述绝缘体上半导体结构体的所述氧化物层的至少一部分；和栅，所述栅至少部分地是所述绝缘体上半导体结构体的半导体层的第一部分。 | ||
| 地址 | 法国伯涅尼 | ||