一种低功耗二极管

摘要

一种低功耗二极管，包括具有P区和N区硅片衬底，此P区由P区域和围绕此P区域的周边P区域组成，周边P区域上表面覆盖多晶硅钝化膜层，P区域上表面覆盖作为阳极的第一金属层，所述多晶硅钝化膜层上表面覆盖玻璃胶层，N区下表面覆盖作为阴极的第二金属层，所述P区域的掺杂深度大于周边P区域的掺杂深度；所述P区与所述N区之间的接触面呈弧形。本实用新型所述P区与N区之间的接触面呈弧形，克服了现有二极管功耗较大的缺陷。

主权项

一种低功耗二极管，包括具有P区（1）和N区（2）的硅片衬底（3），此P区（1）由中央P区域（4）和围绕此中央P区域（4）的周边P区域（5）组成，周边P区域（5）上表面覆盖多晶硅钝化膜层（6），中央P区域（4）上表面覆盖作为阳极的第一金属层（7），所述多晶硅钝化膜层（6）上表面覆盖玻璃胶层（8），N区（2）下表面覆盖作为阴极的第二金属层（9），其特征在于：所述中央P区域（4）的掺杂深度大于周边P区域（5）的掺杂深度；所述P区（1）与所述N区（2）之间的接触面呈弧形。