| 发明名称 | 太阳能电池、太阳能电池模块和太阳能电池的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供太阳能电池、太阳能电池模块和太阳能电池的制造方法。i型非晶硅层(14)和p型非晶硅层(15)进入n型单晶硅基板(11)具有的贯通孔内；i型非晶硅层(12)和n型非晶硅层(13)进入n型单晶硅基板(11)具有的贯通孔内。贯通孔的内壁面被i型非晶硅层(14)和i型非晶硅层(12)覆盖。 | ||
| 申请公布号 | CN101399293B | 申请公布日期 | 2011.11.09 |
| 申请号 | CN200810169547.9 | 申请日期 | 2008.09.28 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 木下敏宏 |
| 分类号 | H01L31/042(2006.01)I;H01L31/05(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/042(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种太阳能电池，其特征在于，包括：具有受光面、设置在所述受光面的相反侧的背面、和从所述受光面贯通至所述背面的贯通孔的半导体基板；在所述受光面上形成的第一受光面侧非晶半导体层；在所述第一受光面侧非晶半导体层上形成的第二受光面侧非晶半导体层；在所述背面上形成的第一背面侧非晶半导体层，在所述第一背面侧非晶半导体层上形成的第二背面侧非晶半导体层；和设置在所述贯通孔内、通过绝缘层与所述第一背面侧非晶半导体层和所述第二背面侧非晶半导体层绝缘的导体，其中，所述第一受光面侧非晶半导体层和所述第一背面侧非晶半导体层具有i型的导电型，所述第一受光面侧非晶半导体层和所述第二受光面侧非晶半导体层进入所述贯通孔内，所述第一背面侧非晶半导体层和所述第二背面侧非晶半导体层进入所述贯通孔内，所述贯通孔的内壁面被所述第一受光面侧非晶半导体层和所述第一背面侧非晶半导体层覆盖。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||