| 发明名称 | 透明导电膜及透明导电膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供具备可实用的耐湿性和作为透明导电膜所必需的特性，且成本低的ZnO类透明导电膜及其制造方法。在氧化锌(ZnO)中掺杂III族元素并使其在基体上生长而得的透明导电膜中，使其具备具有c轴朝向相互不同的多个方向的结晶结构的区域。在氧化锌(ZnO)中掺杂III族元素并使其在基体上生长而得的透明导电膜中，使ZnO(002)摇摆曲线半宽度在13.5°以上。以III族元素氧化物的掺杂量满足透明导电膜中的III族元素氧化物的比例在7～40重量％的范围内的条件，在ZnO中掺杂III族元素氧化物。介以SiNλ薄膜在基体上形成透明导电膜。对基体施加偏压的同时，以薄膜形成方法在基体上形成透明导电膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101180687B | 申请公布日期 | 2011.11.09 |
| 申请号 | CN200680018062.9 | 申请日期 | 2006.12.13 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 中川原修;瀨戸弘之;岸本諭卓 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 范征 |
| 主权项 | 透明导电膜，它是在氧化锌(ZnO)中掺杂III族元素并使其在基体上生长而得的透明导电膜，其特征在于，具备具有c轴朝向相互不同的多个方向的结晶结构的区域，以氧化锌(ZnO)为主要成分，以22.8～40重量％的比例含有III族元素氧化物。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||