| 摘要 |
<p>본 발명은 n-오믹 금속층과 보호층을 동일한 물질을 사용함으로써 공정 단계를 감소시키고, 낮은 온도에서 플라즈마 인가 없이 보호층을 증착할 수 있는 발광다이오드 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 발광다이오드 제조방법은 n형 질화물 반도체 상에 n-오믹(ohmic) 금속층이 형성될 부분이 노출되도록 포토 레지스트 패턴(photo resist pattern)을 형성한다. 그리고 포토 레지스트 패턴과 상기 n형 질화물 반도체가 덮이도록 상기 n 형 질화물 반도체 상에 금속 보호층(metallic protection layer)을 형성한다. 그리고 포토 레지스트 패턴 상에 형성되어 있는 금속 보호층과 포토 레지스트 패턴을 함께 제거하여, n형 질화물 반도체의 표면 일부를 노출시킨다. 그리고 n형 질화물 반도체의 표면이 노출된 부분을 표면처리하여 상기 n형 질화물 반도체 표면을 거칠게(roughening) 한다.</p> |
