| 摘要 |
<p>LLE에 의해 미세 패턴을 형성할 때에 공정 수를 삭감할 수 있고, 제 1 패턴과 제 2 패턴의 CD 값의 차이를 줄일 수 있는 미세 패턴의 형성 방법을 제공한다. 제 1 형상 가공 공정과, 제 2 형상 가공 공정과, 에칭 공정을 가지고, 제 1 형상 가공 공정은 제 1 레지스트막으로 이루어지는 패턴을 형성하는 제 1 패턴 형성 단계(S13)와, 그 패턴을 트리밍 처리하는 제 1 트리밍 단계(S14)과, 그 패턴 상에 에칭 가스의 반응 생성물로 이루어지는 보호막을 퇴적하고 제 1 패턴으로 가공하는 보호막 퇴적 단계(S15)를 가지고, 제 2 형상 가공 공정은 제 1 패턴과 교호로 배열되고 제 2 레지스트막으로 이루어지는 패턴을 형성하는 제 2 패턴 형성 단계(S17)와, 그 패턴을 트리밍 처리하여 제 2 패턴으로 가공하는 제 2 트리밍 단계(S18)를 가진다.</p> |
