Non-volatile Semiconductor Memory Circuit For Controlling Sense Amplifier
摘要
<p>본 발명의 비휘발성 반도체 메모리 회로는, 워드라인 및 상기 워드라인과 연결된 비트라인 사이에 연결된 가변 저항을 포함하는 메모리 셀 어레이, 해당 셀에 대응되는 상기 가변 저항에 따른 전류를 전압으로 변환하여 센싱 노드에 제공하는 커런트 센스 앰프 및 복수의 테스트 모드 신호에 응답하여, 상기 커런트 센스 앰프의 저항을 변화시켜 상기 센싱 노드 전압을 조정하는 전압 조정부를 포함한다.</p>
