Light emitting device and fabrication method thereof

摘要

실시예에 따른 발광 소자는 제2 도전형 반도체층; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 활성층; 상기 활성층 상에 제3 굴절률을 갖는 제1 반도체층; 및 상기 제1 반도체층 상에 제2 굴절률을 갖는 중간굴절층을 포함하며, 상기 제2 굴절률은 상기 제3 굴절률보다 작고, 공기의 제4 굴절률보다 크다.