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<p>나노와이어 기반 장치가 제공된다. 일 양상에서, 전계 효과 트랜지스터(FET) 인버터가 제공된다. FET 인버터는 스택 내에 수직으로 지향된 복수의 장치 층 -각각의 장치 층은 소스 영역, 드레인 영역 및 소스 영역과 드레인 영역을 연결하는 복수의 나노와이어 채널을 가지고, 장치 층들 중 하나 이상의 장치 층의 소스 및 드레인 영역은 n 형 도펀트로 도핑되고, 장치 층들 중 하나 이상의 다른 장치 층의 소스 및 드레인 영역은 p 형 도펀트로 도핑됨- 과, 나노와이어 채널을 둘러싸는 장치 층들의 각각에 공통인 게이트와, n 형 도펀트로 도핑된 하나 이상의 장치 층의 소스 영역에 대한 제 1 콘택트와, p 형 도펀트로 도핑된 하나 이상의 장치 층의 소스 영역에 대한 제 2 콘택트와, 장치 층들의 각각의 드레인 영역에 공통인 제 3 콘택트를 포함한다. FET 인버터를 제조하는 기술도 제공된다.</p> |
